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NXP推出PBSM5240PF小信号晶体管和N沟道Tr
2011-10-14 16:44:05 来源: 作者: 【 】 浏览:1231次 评论:0
    作为全球前十大半导体公司,恩智浦半导体(NXP)昨日宣布推出采用DFN2020-6 (SOT1118) 无塑料封装的超紧凑型中等功率晶体管和N沟道Trench MOSFET产品 PBSM5240PF 。DFN2020-6 (SOT1118) 无铅塑料封装占位面积仅有2 x 2 mm,高度仅为0.65 mm,专门针对诸如移动设备等高性能消费产品的小型化发展趋势而设计。

NXP推出PBSM5240PF小信号晶体管和N沟道Trench MOSFET

    恩智浦产品经理Joachim Stange表示:“对于便携式设备领域来说,BISS/MOSFET解决方案的独特之处和魅力所在就是其极小的占位面积、出色的电气性能、散热性能以及无铅封装。这款集成式的封装产品最高可支持40V的电压,非常适合当今日益纤薄化的小型移动设备使用。而对于这类设备,高度和电路板空间是关键的设计考虑因素,每一毫米都至关重要。”

    作为业界首款集成低VCE (sat) BISS晶体管和Trench MOSFET的二合一型产品,PBSM5240PF不但能节省PCB板空间,而且具有卓越的电气性能。

NXP推出PBSM5240PF小信号晶体管和N沟道Trench MOSFET

    传统的小信号晶体管 (BISS)/MOSFET解决方案通常需要采用两个封装,相比之下PBSM5240PF可减少超过50%的电路板占用面积,使封装高度降低10%以上。此外,DFN2020-6 (SOT1118) 封装还集成了一个散热器,令散热性能提高了25%,从而可支持高至2A的电流,并因此降低了能耗。

    PBSM5240PF可用作便携式电池充电电路的一部分,适用于手机、MP3播放器以及其他便携式设备。它也可被用于那些要求最佳散热性能、较高电流支持和占用面积小的负载开关或电池驱动设备中。

    PBSM5240PF 小信号晶体管(BISS)和N沟道 Trench MOSFET的主要特性括:

    ?集电极大电流下拥有高电流增益 (hFE)

    ?产生热量小,能效高

    ?集电极大电流能力(IC和ICM)

    ?极低的集电极-发射极饱和电压(VCEsat)

    ?封装占位仅为2 x 2 mm,可减少印刷电路板尺寸

  上市时间

    恩智浦 PBSM5240PF 突破性小信号(BISS)晶体管和N通道Trench MOSFET即将通过全球主要经销商供货。

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